NT5CB256M8FN-DI
The NT5CB256M8FN-DI is a high-speed CMOS Double Data Rate32 SDRAM containing 2,147,483,648 bits, it is internally configured as an octal-bank DRAM.
NT5CB256M8FN-DI.PDF 商品信息
Features
- VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V(JEDEC Standard Power Supply)
- VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V)
- 8 Internal memory banks (BA0- BA2)
- Differential clock input (CK, ??)
- Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
- WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9
- POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock
- Programmable Sequential / Interleave Burst Type
- hrough ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)
- Programmable Burst Length: 4, 8
- 8n-bit prefetch architecture
- Output Driver Impedance Control
- Differential bidirectional data strobe
- Internal(self) calibration:Internal self calibration
- OCD Calibration
- Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)
- Auto Self-Refresh
- Self-Refresh Temperature
- RoHS compliance and Halogen free
- Packages: 78-Balls BGA for x4, x8 components
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